El transistor IRF740 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRF740FI es un MOSFET de modo de mejora de canal N de 400 V diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad y requisitos de accionamiento simples.
- Clasificación dV / dt dinámica
- Avalancha repetitiva calificada
- Interruptor de alta velocidad
- Fácil de paralelar
- Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo
Información Básica
- Polaridad: Canal-N
- Voltaje de drenaje-fuente Vds: 400 V
- Intensidad drenador continua Id:10 A
- Resistencia de activación Rds(on): 550 mhoms
- Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V
- Tensión umbral Vgs: 4 V
- Disipación de potencia Pd: 125 W
- Temperatura mínima de operación: -55°C
- Temperatura máxima de operación: 150°C
- Encapsulado TO-220
- 3 pines
