Transistor MMBT3906 2A bipolar epitaxial de silicio. Transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, puede ser utilizado como interruptor o switch, como oscilador para generar señales, etc. Podemos encontrarlo en una gran variedad de dispositivos.
Principales Características:
- TEMPERATURA OPERATIVA: -55°C ~ 150°C
- ENCAPSULADO: SOT-23
- TIPO DE MONTAJESUPERFICIAL: SMD/SMT
- TIPO TRANSISTOR: NPN
- DISIPACIÓN DE POTENCIA: 200mW
- VOLTAJE COLECTOR-EMISOR: -40V
- VOLTAJE COLECTOR-BASE: -40V
- VOLTAJE EMISOR-BASE: -5V
- CORRIENTE COLECTOR: -200mA
- GANANCIA CORRIENTE DC hFE Máx: 300
- FRECUENCIA DE TRANSICIÓN fT: 250MHz
