TIP31  TRANSISTOR BJT NPN 100V - 3A  ENCAPSULADO TO-220

TIP31 TRANSISTOR BJT NPN 100V - 3A ENCAPSULADO TO-220

$1.000,00

TIP31C Transistor BJT NPN -100V / -3A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP. Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 10 y 50.

Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo e Industrial, puede operar como Amplificador de Audio y Driver

Principales Características:

  • Tipo de Encapsulado: TO-220
  • Transistor complementario TIP32C
  • Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
  • Voltaje Colector - Emisor (VCE): -100V
  • Voltaje Colector - Base (VCB): -100V
  • Voltaje Emisor - Base (VEB): -5V
  • Corriente Colector (IC): -3A
  • Corriente Base (IB): -1A
  • Potencia Máxima Disipada (PD): 40W
  • Ganancia Máxima (hFE): 50
  • Frecuencia de Trabajo (FT): 3 MHz