2n3055 Transitor Npn de Potencia encapsulado To3

2N3055 Transistor BJT NPN 70V - 15A TO-3, semiconductor bipolar de juntura NPN. Este transistor es de alta potencia, capaz de disipar hasta 115W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 70VDC.

Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 20 y 70

Este transistor esta diseñado para circuitos de conmutación de potencia, reguladores en serie y paralelo, etapas de salida y amplificadores de audio.

Principales Características:

• Tipo de Encapsulado: TO-3
• Transistor complementario del 2N2955
• Transistor equivalente a NTE130
• Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
• Voltaje Colector - Emisor (VCE): 70V
• Voltaje Colector - Base (VCB): 100V
• Voltaje Emisor - Base (VEB): 7V
• Corriente Colector (IC): 15A
• Potencia Máxima Disipada (PD): 115W
• Ganancia Máxima (hFE): 70
• Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 2.5 MHz