Transistor mosfet canal N 200V 33A de suicheo rápido.
Principales Características:
- Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 30A máximo
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: 200V máximo
- Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 150°C
- Encapsulado: TO247 (TO3)
