IR2110 Driver para Mosfet - IGBT

Driver de transistores MOSFET e IGBT de alta velocidad y precisión

Principales Características:

• Driver de transistores MOSFET e IGBT
  
• Alta velocidad. Tiempos de propagación típicos: t_on: 120 ns, t_off: 94 ns, t_apagado: 110 ns. Rise time: 25 ns, fall time: 17 ns
  
• Canales flotantes de salida de alto voltaje hasta 525 V y de bajo voltaje
• Diferencia en los tiempos de propagación entre salidas de alto y bajo voltaje: 10 ns max.
  
• Salidas en fase con las entradas
• Voltaje de salida: 10 V a 20 V
• Corriente de salida pulsada en cortocircuito: 2 A min.
  
• Entradas Schmitt-trigger con resistencias de pull-down compatibles con CMOS y LSTTL que operen a valores tan bajos como 3.3 V
  
• P_D: 1.6 W
• Alimentación separada para la lógica de entre 3.3 V a 20 V
• Encapsulado: PDIP 14 pines