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    IR2110 Driver para Mosfet - IGBT

    Descripción

    Driver de transistores MOSFET e IGBT de alta velocidad y precisión

    Principales Características:

    • Driver de transistores MOSFET e IGBT
    • Alta velocidad. Tiempos de propagación típicos: ton: 120 ns, toff: 94 ns, tapagado: 110 ns. Rise time: 25 ns, fall time: 17 ns
    • Canales flotantes de salida de alto voltaje hasta 525 V y de bajo voltaje
    • Diferencia en los tiempos de propagación entre salidas de alto y bajo voltaje: 10 ns max.
    • Salidas en fase con las entradas
    • Voltaje de salida: 10 V a 20 V
    • Corriente de salida pulsada en cortocircuito: 2 A min.
    • Entradas Schmitt-trigger con resistencias de pull-down compatibles con CMOS y LSTTL que operen a valores tan bajos como 3.3 V
    • PD: 1.6 W
    • Alimentación separada para la lógica de entre 3.3 V a 20 V
    • Encapsulado: PDIP 14 pines

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